用于快速存储器件的薄膜磁体之间的新型相互作用闸阀

用于快速存储器件的薄膜磁体之间的新型相互作用

电磁学领域的突破性发现开辟了三维旋转结构的设计，这可能是未来磁存储单元的基本单元。

来自埃因霍温科技大学，德国和韩国的研究人员发现了薄膜磁体之间的新型相互作用，这为更快，更强大的具有更大数据容量的存储器件奠定了基础。结果今天发表在 Nature Materials上okmart.com。

如今，我们无处不在地流式传输视频，将有声读物下载到移动设备，并在我们的设备上存储大量照片。因此，我们所需的存储容量正在快速增长，研究人员正在努力开发新的数据存储选项。一种可能性由所谓的“跑道存储装置”表示，其中数据以相反磁化层（“域”）的形式存储在纳米线中。

来自TU / e，Johannes Gutenberg University（JGU）（德国），Peter Grunberg Institute（PGI），Daegu Gyeongbuk科学技术研究所（韩国）和Sogang University（韩国）的研究团队现已发现可以显着改善这些赛道记忆设备。未来可以将信息存储在三维旋转结构中，而不是使用单个域，使存储器更快，更稳健并提供更大的数据容量。

层间耦合相互作用。两个铁磁层（红色，蓝色）反平行排列（箭头表示从南极到北极的方向）被这种电子效应强制“扭曲”它们的磁化（如臂所示），增加了手征性（优先旋转感） 。图片来源：埃因霍温科技大学

新的互动

研究小组能够展示迄今未发现的相互作用，这种相互作用发生在由非磁性层隔开的两个薄磁层之间。通常，自旋彼此平行或反平行排列。对于这样的两个单独的磁性层也可以预期这一点。然而，在这项工作中，研究人员已经能够证明两层中的自旋相互扭曲。更准确地说，它们耦合成垂直对齐，彼此成90度角。

应用物理学助理教授Reinoud Lavrijsen说：“这一突破性发现开辟了设计各种新型三维自旋结构的可能性，从长远来看，这可能会产生新的磁性存储单元。然而，已确定的相互作用是在这个时刻。对应用程序来说还不够强大，但我们致力于进一步优化它，以便它可以用于未来的三维数据存储和逻辑设备。“

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